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DDR4 \NAND FLASH的发展趋势

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发表于 2014-9-12 10:30:38 | 显示全部楼层 |阅读模式

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     DDR4以前瞻性的高传输速率、低功耗与更大记忆容量,在2014年下半将导入英特尔工作站/伺服器以及高阶桌上型电脑平台,并与LP-DDR3记忆体将同时存在一段时间;至于NAND Flash快闪记忆体也跨入1x奈米制程,MLC将以iSLC/eSLC自砍容量一半的方式,提升可抹写次数(Program EraseP/E)来抢占极端要求耐受度的军方与工控市场,而C/P值高的TLC从随身碟、记忆卡的应用导向低阶SSD
file:///C:\DOCUME~1\ADMINI~1\LOCALS~1\Temp\ksohtml\wps_clip_image-29506.png
     file:///C:\DOCUME~1\ADMINI~1\LOCALS~1\Temp\ksohtml\wps_clip_image-21453.png
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file:///C:\DOCUME~1\ADMINI~1\LOCALS~1\Temp\ksohtml\wps_clip_image-28041.pngfile:///C:\DOCUME~1\ADMINI~1\LOCALS~1\Temp\ksohtml\wps_clip_image-10658.png
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open your harddisk,open your mind.
发表于 2014-9-13 11:32:30 | 显示全部楼层
还没搞定DDR3,DDR4又来了。。。

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发表于 2014-9-13 22:48:05 | 显示全部楼层
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发表于 2014-9-16 08:46:59 | 显示全部楼层
行业需求不一样,消费娱乐电子到DDR4了,而工控可能还在DDR2.
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