SDRM和DDR SDRAM的初始化操作（转）

易阳

SDRAM的初始化
我看到有两种初始化方法，在等待时间和刷新次数上有所不同。可能是因为芯片的不同。
法一：
(1) 电源和时钟稳定；
(2) 至少等待100us以稳定内部电路，在此期间至少发出一次NOP操作；
(3) 用PRECHARGE命令对所有的Bank充电（A10设为高），使所有的Bank都处于IDLE状态；
(4) 执行两次AUTO REFRESH自动刷新操作；
(5 )设置工作模式寄存器并等待20ns，此时SDRAM初始化完毕并进人IDLE状态。
法二：
（1）上电后，保持200us稳定时间；
（2）对器件的所有Bank发预冲命令；
（3）发出八个自动刷新命令；
（4）发出模式设置命令来设置器件的工作模式。
两个命令之间要有几个空操作，使命令有时间执行完操作。具体间隔看芯片手册。

DDR SDRAM的初始化
（1）上电，时钟稳定后经过200μs延时，执行一次空操作（DESELECT或NOP命令）且CKE为高。
（2）对所以块进行预充电（PRECHARGE ALL命令）。
（3）设置扩展模式寄存器（LMR命令且BA1为低电平BA0为高电平）使能DLL（延时锁相环）。
（4）设置模式寄存器（LMR命令且BA1,BA0均为低电平）复位DLL。
（5）执行一次预充电命令（PRECHARGE ALL）,所以的块进入空闲（idle）状态。
（6）再经过两个自刷新（Auto refresh）命令后再次设置模式寄存器设置操作模式
（7）延时200个周期，因为在设置模式寄存器复位DLL后必须经过200个周期才能够执行读操作。
其实是第三步设置扩展模式寄存器到DDR SDRAM开始工作输入的命令之间要延时200个周期。第七步再延时也可，多延时几个周期不会产生问题，别少延时了。


该帖已经同步到电子微博网 易阳的微博