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一个I2C的5V和3.3V电平转换的经典电路分享(转载)

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发表于 2015-2-6 16:22:03 | 显示全部楼层 |阅读模式

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在电平转换器的操作中要考虑下面的三种状态:
1  没有器件下拉总线线路。“低电压”部分的总线线路通过上拉电阻Rp 上拉至3.3V。 MOS-FET管的门极和源极都是3.3V, 所以它的VGS 低于阀值电压,MOS-FET管不导通。这就允许“高电压”部分的总线线路通过它的上拉电阻Rp拉到5V。此时两部分的总线线路都是高电平,只是电压电平不同。

2   一个3.3V 器件下拉总线线路到低电平。MOS-FET 管的源极也变成低电平,而门极是3.3V。VGS上升高于阀值,MOS-FET 管开始导通。然后“高电压”部分的总线线路通过导通的MOS-FET管被3.3V器件下拉到低电平。此时,两部分的总线线路都是低电平,而且电压电平相同。
3    一个5V 的器件下拉总线线路到低电平。MOS-FET管的漏极基底二极管“低电压”部分被下拉直到VGS 超过阀值,MOS-FET管开始导通。“低电压”部分的总线线路通过导通的MOS-FET 管被5V的器件进一步下拉到低电平。此时,两部分的总线线路都是低电平,而且电压电平相同。
这三种状态显示了逻辑电平在总线系统的两个方向上传输,与驱动的部分无关。状态1 执行了电平转换功能。状态2 和3按照I2C 总线规范的要求在两部分的总线线路之间实现“线与”的功能。
除了3.3V VDD1 和5V VDD2的电源电压外,还可以是例如:2.5V VDD1 和12V VDD2。在正常操作中,VDD2必须等于或高于VDD1(在开关电源时允许VDD2 低于VDD1)。


MOS-N 场效应管 双向电平转换电路 -- 适用于低频信号电平转换的简单应用


如上图所示,是 MOS-N 场效应管 双向电平转换电路。
双向传输原理:
为了方便讲述,定义 3.3V 为 A 端,5.0V 为 B 端。

A端输出低电平时(0V)  ,MOS管导通,B端输出是低电平(0V)
A端输出高电平时(3.3V),MOS管截至,B端输出是高电平(5V)
A端输出高阻时(OC)   ,MOS管截至,B端输出是高电平(5V)

B端输出低电平时(0V)  ,MOS管内的二极管导通,从而使MOS管导通,A端输出是低电平(0V)
B端输出高电平时(5V)  ,MOS管截至,A端输出是高电平(3.3V)
B端输出高阻时(OC)   ,MOS管截至,A端输出是高电平(3.3V)

优点:
1、适用于低频信号电平转换,价格低廉。
2、导通后,压降比三极管小。
3、正反向双向导通,相当于机械开关。
4、电压型驱动,当然也需要一定的驱动电流,而且有的应用也许比三极管大。

www.yanfa.tech 站长 ,交流微信QQ 276556668
发表于 2015-2-6 20:40:50 | 显示全部楼层
第一次看到这样的转换电路。
果真不错。

谢谢分享。

感觉需要注意一些参数:NMOS的二极管的Forward 电压和3.3V芯片的VIL。例如,如果二极管的电压是0.7V(大部分的NMOS的二极管在forward电流小的时候应该是少过0.7V这个数值的),我们要确保3.3V那边的芯片VIL是少过0.7V。

对于更低的电压,例如2.5V,感觉转换的时候有点危险。例如EEPROM I2C接口的芯片VIL都是0.2*VCC,也就是说,2.5V的VIL最大值是0.5V。如果NMOS的二极管电压超过0.5V,那么2.5V的VIL就过了数据手册的标注值了。信号就在meta-stability 区间了。

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发表于 2015-2-7 13:36:34 | 显示全部楼层
参考一下
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发表于 2015-2-7 13:51:53 | 显示全部楼层
通过慢慢的分析 可以好好学一次 N沟道的MOS

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发表于 2015-2-8 00:34:40 | 显示全部楼层
很有启发的帖子。

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发表于 2015-2-9 11:31:04 | 显示全部楼层
不错不错!!!!!!!!
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发表于 2015-2-13 14:50:08 | 显示全部楼层
很不错!
我第一次看到这样的电路时,没太在意,当然也没有去研究原理;
到后来又见到客户用这样的电路,才注意起来,原来MOS管也有此妙用之处。
所以处处留心皆学问,有实际工作中学到的,印象会更加深刻!

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发表于 2015-3-8 13:18:18 | 显示全部楼层
简单,实用的电路

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发表于 2015-3-8 22:19:13 | 显示全部楼层
谢谢分享!!!!
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发表于 2015-3-8 22:41:19 | 显示全部楼层
这帖我看了两遍 每次收获都不一样

点评

有一些运用的门道在里面。  发表于 2015-3-9 12:20 PM
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