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DDR4以前瞻性的高传输速率、低功耗与更大记忆容量,在2014年下半将导入英特尔工作站/伺服器以及高阶桌上型电脑平台,并与LP-DDR3记忆体将同时存在一段时间;至于NAND Flash快闪记忆体也跨入1x奈米制程,MLC将以iSLC/eSLC自砍容量一半的方式,提升可抹写次数(Program Erase;P/E)来抢占极端要求耐受度的军方与工控市场,而C/P值高的TLC从随身碟、记忆卡的应用导向低阶SSDfile:///C:\DOCUME~1\ADMINI~1\LOCALS~1\Temp\ksohtml\wps_clip_image-29506.png file:///C:\DOCUME~1\ADMINI~1\LOCALS~1\Temp\ksohtml\wps_clip_image-21453.png file:///C:\DOCUME~1\ADMINI~1\LOCALS~1\Temp\ksohtml\wps_clip_image-11849.png file:///C:\DOCUME~1\ADMINI~1\LOCALS~1\Temp\ksohtml\wps_clip_image-18215.png file:///C:\DOCUME~1\ADMINI~1\LOCALS~1\Temp\ksohtml\wps_clip_image-28041.pngfile:///C:\DOCUME~1\ADMINI~1\LOCALS~1\Temp\ksohtml\wps_clip_image-10658.png file:///C:\DOCUME~1\ADMINI~1\LOCALS~1\Temp\ksohtml\wps_clip_image-8456.pngfile:///C:\DOCUME~1\ADMINI~1\LOCALS~1\Temp\ksohtml\wps_clip_image-19314.png |