IC芯片2015年将进入第一代3D设计FinFET制程

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2014年11月4日　我爱研发网

转自台湾digitimes的消息，移动装置如智能手机、平板电脑等应用领域，对于半导体芯片的需求走到超低功耗，制程技术从28纳米制程，到20纳米制程，将于2015年进入第一代3D设计架构的FinFET制程，也就是14/16纳米世代。

　　台积电2015年下半即将量产16纳米世代，英特尔、三星电子(Samsung Electronics)、GlobalFoundries将是14纳米制程世代，英特尔早一些量产，之后是三星，GlobalFoundries制程技术将属于三星阵营。

　　台积电因为为大客户苹果生产20纳米制程芯片，因此16纳米制程技术问世时间较晚，相较之下，三星电子在技术上跳过20纳米制程，直接生产14纳米制程世代。

　　根据巴克莱(Barclays)统计，2015年三星在FinFET制程世代可以拿下53%的市场占有率，相较于台积电FinFET制程可拿下39%，三星在2015年仍是暂时领先，但预计到了2016年，台积电的市场占有率预计可将达61%，而三星和GlobalFoundries联手拿下约39%，台积电重新夺回主导权地位。

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